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惠龍電加熱裝置VMOS的使用注意事項
（1）柵-源極間應(yīng)加過電壓保護。由于漏源電壓的正向或負(fù)向突變會通過極間電容耦合到柵極，使柵-源間產(chǎn)生正向或負(fù)向浪埔電壓，擊穿柵極氧化層，造成柵極永久性損壞；或由于漏-源極間的du/、dt過大，引起誤導(dǎo)通，而需加保護。保護的方法是適當(dāng)降低柵極驅(qū)動電路的阻抗；在柵-源極間并聯(lián)電阻、電容或穩(wěn)壓二極管，一般取穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值為14-19V。
?。?）注意漏-源極間反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)時間要比VMOS本身的開關(guān)速度慢，一般為1-2μs，而VMOS本身的開關(guān)時間都在幾百似以下。
?。?）在漏-源極間或主電路的適當(dāng)部位加阻容吸收電路，以防漏-源極間承受過電壓尖峰而損壞。
?。?）VMOS的單管電流容量小，幾乎都必須并聯(lián)使用，這時應(yīng)盡量使各并聯(lián)支路平衡、對稱，并力求有相同的散熱條件。為了防止寄生振蕩，各器件的柵極應(yīng)分別串接合適的小電阻或小磁環(huán)。串聯(lián)的電阻值過大，會使開關(guān)速度慢，損耗增加，過小則效果不好，一般從幾十到幾百Ω。此外，還應(yīng)盡量縮短連接線或縮小電流環(huán)路的面積，采用雙絞線和板式接地結(jié)構(gòu)，以及在局部加接去耦電容。
（5）VMOS與IGBT具有相同的輸入特性，柵極最高允許電壓都是±20V，因此，市售的驅(qū)動電路在它們之間完全通用，這點將在介紹IGBT時再予以說明。
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