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蘇燦電加熱裝置絕緣柵雙極型晶體管特性簡介
A IGBT的結(jié)構(gòu) 符號(hào)和特性
IGBT是柵極為MOS構(gòu)造，同時(shí)兼有VMOS的高輸入阻抗、高速和雙極晶體管的低通態(tài)壓降特性的自關(guān)斷型混合功率器件，它的結(jié)構(gòu)和等效電路。與圖1-2-4相比可知，IGBT是將VMOS漏極的N+層換成P+層而成。工作時(shí)，由P+層向高阻層注入空穴，產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制，使它的通態(tài)電阻大大降低，為VMOS的十多分之一，達(dá)到雙極晶體管的水平。
IGBT的工作原理與VMOS相似。當(dāng)集-射極間加有正向電壓時(shí)，柵-射極間一旦加上正電壓，在常近柵極的P+層便會(huì)因感生電子而形成N溝道，于是從集電極P+—N-—N溝道層內(nèi)）-N+射極流過集-射極電流Ice。該電流大小，必定與N溝道的寬度成正比，也即與柵-射極間正向電壓認(rèn)^成正比。如果柵射極間加的不是正電壓，而是負(fù)電壓，則不會(huì)形成N溝道，集射極電流便無法流通，而成截止?fàn)顟B(tài)。
IGBT的結(jié)構(gòu)與晶閘管一樣，存在PNPN四層結(jié)構(gòu)。事實(shí)上，從等效電路可知，確實(shí)存在寄生晶閘管（由T1、T2組成）。但在設(shè)計(jì)制造器件時(shí)，要考慮盡量避免器件以晶閘管的方式進(jìn)行工作，采取減小R值，減少丁作電流密度，使T2不工作，作即可達(dá)到目的。因?yàn)橐坏┕ぷ麟娏髅芏却?，等效電阻尺上的壓降增大，?huì)從射極N+層向柵極P+層注入電子，使T2導(dǎo)通，進(jìn)而使寄生晶閘管導(dǎo)通而失控，即柵極失去控制能力。此外，當(dāng)過高時(shí)，也會(huì)在集柵極的結(jié)電容中引起較大的位移電流，使IGBT產(chǎn)生動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)而失控。
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